国兴光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，推出了全新的NS62m SiC MOSFET功率模块，可应用于传统工业控制，储能逆变器，UPS，充电桩，轨道交通等功率转换领域。
面对储能逆变器市场，国星光电新推出的NS62m功率模块依托SiC MOSFET芯片的性能，提高了功率模块的电流密度和开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却器件的尺寸，最终达到了降低系统成本和提高系统效率的目的。
星光NS62m功率模块采用标准封装，半桥拓扑设计，内置NTC热敏电阻，可实现温度监控采用62mm标准基板和接口，可兼容业界主要主流产品，实现快速更换连续工作温度为150℃，具有良好的温度循环能力，器件的可靠性非常好
半桥电路结构的逆变器采用NS62m功率模块在实际应用中，将两个或三个NS62m功率模块并联，形成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将DC变换成频率和幅值可调的交流电，实现逆变功能NS62m功率模块中基于SiC MOSFET的体二极管具有优异的开关特性和反向恢复性能，无需额外的二极管器件就能满足大部分场景下的续流需求
NS62m功率模块工作时可以实现更高的开关频率和更低的开关损耗，同时有助于提高变换器系统的效率，降低散热结构的成本。
本站了解到，根据实验数据，与市场上相同电流规格的产品相比，NS62m功率模块的动态特性开启延迟时间降低了79纳秒，上升时间减少42纳秒，关断延迟时间减少了468纳秒导通损耗降低82%，关断损耗降低92%，整体开关损耗非常出色
根据传统工业控制，储能逆变器，充电桩等应用领域的要求，国星光电的NS62m SiC MOSFET模块系列有多种型号可供选择公司依托国星光电先进的第三代半导体器件生产线，可应对不同封装规格的SiC功率模块定制化开发需求，为客户提供高质量的定制化产品和服务
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